产品大全
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供应 鹏城半导体 生产型 高真空磁控溅射及离子辅助复合镀膜机
价格：电议
生产型 高真空磁控溅射及离子辅助复合镀膜机（PVD 1000
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供应 鹏城半导体 生产型 高真空磁控溅射/离子辅助/多弧复合镀膜机
价格：电议
生产型 高真空磁控溅射/离子辅助/多弧复合镀膜机（ PVD
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供应 鹏城半导体 生产型 TGV/TSV /TMV 高真空磁控溅射镀膜机
价格：电议
生产型TGV/TSV/TMV 高真空磁控溅射镀膜机（Sput
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鹏城半导体 多功能磁控溅射仪
价格：电议
极限真空度：6X10-5Pa
恢复工作背景真空：7X10-4Pa，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）
设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa
多功能磁控溅射仪（高真空磁控溅射仪）是用磁控溅射的方法 制备
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鹏城半导体 高真空磁控溅射仪|多功能磁控溅射|多靶磁控溅射
价格：电议
极限真空度：6X10-5Pa
恢复工作背景真空：7X10-4Pa，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）
设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa
多功能磁控溅射仪（高真空磁控溅射仪）是用磁控溅射的方法 制备
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鹏城半导体 分子束外延薄膜生长设备（MBE）
价格：电议
进样室极限真空：5.0×10-5Pa
预处理室极限真空：5×10-7Pa
离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV
该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺 实现分子自组装
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鹏城半导体 PECVD设备
价格：电议
真空室极限真空：≤7×10-5Pa
工作背景真空：≤8×10-4Pa
设备总体漏放率：停泵12小时后，真空度≤10Pa
产品简介 PECVD设备（等离子体增加化学气相沉积PE
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鹏城半导体 高真空电阻热蒸发镀膜机
价格：电议
极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa
设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa
高真空电阻热蒸发镀膜机（蒸镀机）采用电阻热蒸发技术 它是
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鹏城半导体 热丝CVD金刚石设备
价格：电议
矩形工作尺寸的宽度：1000mm
可制备金刚石：φ 650mm
圆形平面工作的尺寸：**大φ650mm
热丝CVD金刚石设备（热丝法化学气相沉积CVD）鹏城半导体技
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鹏城半导体 高真空电子束蒸发镀膜机 真空度高、抽速快
价格：电议
极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa
设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa
恢复工作真空时间短，大气至：7×10-4Pa≤30分钟
高真空电子束蒸发镀膜机（电子束蒸镀机）是在高真空条件下
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分子束外延薄膜生长设备(MBE)
价格：电议
极限真空：离子泵 2.0×10-8 Pa（冷阱辅助）
样品台加热温度：室温～ 1200℃±1℃（PID 控制）
样品自转速度：2 ～ 20 转 / 每分钟（无级可调）
分子束外延薄膜生长设备（MBE）（分子束外延MBE）该设备可
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